PT124G-3500-55/55D系列高過(guò)壓性能單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口*進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測(cè)壓膜盒和信號(hào)處理模塊，是基于被測(cè)壓力直接作用于傳感器正負(fù)壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過(guò)集成電路監(jiān)測(cè)該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量信號(hào)。
傳感器具有超高過(guò)壓性能及良好的溫度補(bǔ)償，安裝便捷，具有良好的環(huán)境適應(yīng)性，可廣泛用于各類工控環(huán)境。

高過(guò)壓性能單晶硅差壓傳感器特點(diǎn)：

1.采用進(jìn)口FST單晶硅MEMS芯片進(jìn)行封裝，產(chǎn)品具有超高精度，可達(dá)0.04%FS
2.具有優(yōu)異的過(guò)壓性能
3.可用于負(fù)壓力測(cè)量
4.智能靜壓補(bǔ)償和溫度補(bǔ)償，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)

高過(guò)壓性能單晶硅差壓傳感器技術(shù)規(guī)格：

差壓傳感器尺寸圖